Современный рынок памяти устроен таким образом, что микросхемы уже устоявшихся со временем стандартов начинают выпускать китайские компании, после чего цены снижаются до такого уровня, что крупным игрокам рынка производить их становится невыгодно. Samsung в подобных условиях предпочитает свернуть выпуск микросхем типа LPDDR4.
Об этом сообщает Commercial Times со ссылкой на уведомление, полученное клиентами компании Samsung Electronics. Поставки микросхем LPDDR4 ёмкостью 8 Гбит, которые производятся по техпроцессу класса 1z, компания начинает сворачивать в текущем месяце. Заказать их можно будет до июня текущего года, а в октябре будет отгружена последняя партия. Выпускать такую память Samsung теперь просто невыгодно, поскольку китайские конкуренты вроде CXMT предлагают её в приличных количествах по более низким ценам. Samsung предпочитает сосредоточиться на более выгодных микросхемах типа LPDDR5 и HBM.
Тайваньские производители памяти типа Winbond Electronics и Nanya Semiconductor пока сосредоточены на выпуске именно DDR4, поэтому решение Samsung освободить этот сегмент рынка пойдёт им на пользу. Пошлины в США также могли оказать влияние на решение Samsung. Хотя полупроводниковая продукция как таковая от повышенных пошлин пока освобождена, спрос на готовые электронные устройства на местном рынке из-за вызванного новыми тарифами роста цен должен снизиться, а потому рынок США становится для Samsung менее интересным в отсутствие локализованного производства.
По некоторым оценкам, спрос на микросхемы памяти в текущем году не вырастет на 12,8 %, как планировалось до введения Трампом повышенных пошлин, а от силы увеличится на 4,8 %. Пессимистичный же вариант сценария предполагает рост спроса только на 3,5 %. В сегменте NAND отпускные цены уже близки к себестоимости, поэтому производители постараются сократить объём предложения на 10–20 %, что окажет определённую поддержку уровню цен.
Для Samsung, как отмечают китайские источники, сегмент HBM не сможет оставаться «тихой гаванью» вечно, поскольку производители из Китая к 2026 году надеются освоить выпуск HBM3, а к 2027 году перейти на HBM3E. Эта память нужна местным разработчикам ускорителей для систем искусственного интеллекта.